IGBT模塊功能組成

IGBT模塊是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有 MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。

IGBT模塊綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

IGBT模塊是一個非通即斷的開關(guān)，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。

IGBT就是一個開關(guān)，非通即斷，如何控制他的通還是斷，就是靠的是柵源極的電壓，當(dāng)柵源極加+12V(大于6V，一般取12V到15V)時IGBT導(dǎo)通，柵源極不加電壓或者是加負壓時，IGBT關(guān)斷，加負壓就是為了可靠關(guān)斷。

IGB模塊原理電路分析

IGBT模塊有三個端子，分別是G，D，S，在G和S兩端加上電壓后，內(nèi)部的電子發(fā)生轉(zhuǎn)移(半導(dǎo)體材料的特點，這也是為什么用半導(dǎo)體材料做電力電子開關(guān)的原因)，本來是正離子和負離子一一對應(yīng)，半導(dǎo)體材料呈中性，但是加上電壓后，電子在電壓的作用下，累積到一邊，形成了一層導(dǎo)電溝道，因為電子是可以導(dǎo)電的，變成了導(dǎo)體。如果撤掉加在GS兩端的電壓，這層導(dǎo)電的溝道就消失了，就不可以導(dǎo)電了，變成了絕緣體。

若在IGB模塊T的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。

   由此可見，IGBT模塊在依照我們國內(nèi)的技術(shù)也可能沒有達到市場的一般，我國的IGBT模塊依然是依賴進口滿足市場。

       貴州利來機電設(shè)備服務(wù)有限公司致力于貴州變頻器維修、貴陽變頻器維修，大型變頻器維修、電梯變頻器維修、ABB變頻器、西門子變頻器、安川變頻器、酷馬變頻器、AB變頻器、施耐德變頻器、艾默生變頻器、英威騰變頻器、蒂森克虜伯變頻器、富士變頻器、愛登堡變頻器等多種變頻器均可維修。公司主要工作是維修客戶送修的各種型號、功率的變頻器，也可上門檢查變頻器故障。變頻器維修，我們最專業(yè)。我們努力做到讓客戶省心、放心。 我們通過豐富的經(jīng)驗和精湛的技術(shù)，獲得了客戶的認可及肯定。

上一篇：人機界面電容式觸摸屏原理

下一篇：使用變頻器的須知和注意事項