IGBT參數(shù)選擇
主要是門級電壓和門級電阻的選擇
1 IGBT參數(shù)門級電壓的選擇
      IGBT參數(shù)門級電壓與IGBT參數(shù)短路耐量以及與集射極間電壓之間關系非常密切.如果門級電壓過低,通態(tài)電壓增大,靜態(tài)損耗要增加.如果門級電壓過高,負載短路與故障時短路電流要增大,短路耐量隨之降低.選定門級電壓時,要考慮門級電壓的最大極限與集電極電流的使用范圍,還要考慮門級電路與器件參數(shù)的分散性.因此,電壓選為15V較佳.另外,對于小容量的變換器中的IGBT不加負偏壓也能正常工作,可是對于中大容量的變換器,為了保證IGBT可靠關斷,加一定量的負偏壓,不僅可以防止 IGBT關斷瞬間因 dv/dt過高造成的誤開通 ,提高被驅動 IGBT抗干擾能力,還可以減少集電極浪涌電流,降低損耗

2 IGBT參數(shù)門級電阻RG的選擇 
      門級驅動電路的阻抗,包括門級驅動電路的內(nèi)阻抗和門級電阻兩個部分.它們影響著驅動波形的上升、下降速率.在高頻應用時 ,驅動電壓的上升、下降速率應快一些,以提高IGBT的開關速率并降低開關損耗.在運行頻率較低時,開關損耗所占比例較小,驅動電壓的上升、下降速率可以減慢些.在正常狀態(tài)下IGBT開通越快,開通損耗也越小.但在開通過程中如有正在續(xù)流二極管的反向恢復電流和吸收電容器的放電電流,則開通越快,IGBT承受的峰值電流也就越大,甚至急劇上升導致IGBT或續(xù)流二極管損壞.此時應降低門級驅動脈沖的上升速率,即增加門級電阻的阻值,抑制該電流的峰值.其代價是要付出較大的開通損耗.

當門級電阻RG增加時,IGBT的開通與關斷時間增加,進而使每脈沖開通能耗和關斷能損也增加.當門級電阻RG減小時,IGBT的電流上升率di/dt增大,這也會引起IGBT的誤導通,同時門級電阻RG上的損耗也增加.根據(jù)上述兩種情況,RG的選擇原則是,在開關損耗不太大的情況下,應選用較大的門級電阻RG.
門級電阻的阻值對于驅動脈沖的波形也有較大的影響,電阻值過小時會造成驅動脈沖振蕩,過大時驅動波形的前后沿會發(fā)生延遲和變緩.IGBT的輸入電容CGE隨著其額定電流容量的增加而增大.為了保持相同的驅動脈沖前后沿速率 ,對于電流容量較大的IGBT元件,應提供較大的前后沿充電電流.為此,門級電阻的電阻值應隨著IGBT電流容量的增加而減小.IGBT門級電阻通常采用表1所列的數(shù)值 .表中高頻一般為大于 15KHZ的工作頻率,低頻為小于 5KHZ的工作頻率.

       IGBT接線較長時易產(chǎn)生振蕩,因此IGBT參數(shù)門級電阻Rg的接入盡量靠近IGBT.門級引線一般采用絞合線.另外,IGBT是壓控器件,當集射極加有高電壓時,很容易受外界干擾使門級間電壓超過一定值引起器件誤導通,甚至導致直通現(xiàn)象發(fā)生.為此,采用如下三種措施加以改善IGBT參數(shù)門級電阻:
(1)減小元件接入的電容.
(2)在門-射極間并聯(lián)兩只反串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管,把浪涌電壓限制在30V以下.
(3)在門-射極間并接一電阻Rge,Rge一般取值在1000~5000Rg之間,而且將它并聯(lián)在門射極最近處.
RG的選擇我不會這么選的,不同牌子的IGBT選用的RG值不同.

      一般我是按使用手冊推薦的RG值.
不同的牌子或是同一個牌子,電流電壓等級一樣,而不同型號其RG值不同.
例如:
富士:  2MBI75F-120    RG=9.1Ω.
          2MBI75L-120     RG=16Ω.
歐派克:FF75R12KS4     RG=7.5Ω.
西門子:BSM75GB120DN2   RG=15Ω.
三菱:  CM75DU-12H     RG=8.3Ω.
同樣是75A1200V的IGBT,型號不同,RG值不同. 

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