根據(jù)IGBT的特性,IGBT驅(qū)動(dòng)電路的要求如下:
IGBT驅(qū)動(dòng)電路要求一：
提供適當(dāng)?shù)恼聪螂妷?使IGBT能可靠地開通和關(guān)斷。當(dāng)正偏壓增大時(shí)IGBT通態(tài)壓降和開通損耗均下降,但若U GE過(guò)大,則負(fù)載短路時(shí)其IC隨UGE增大而增大,對(duì)其安全不利,使用中選U GEn 15V為好。負(fù)偏電壓可防止由于關(guān)斷時(shí)浪涌電流過(guò)大而使IGBT誤導(dǎo)通,一般選UGE=-5V為宜。

IGBT驅(qū)動(dòng)電路要求二：
IGBT的開關(guān)時(shí)間應(yīng)綜合考慮?？焖匍_通和關(guān)斷有利于提高工作頻率,減小開關(guān)損耗。但在大電感負(fù)載下,IGBT的開頻率不宜過(guò)大,因?yàn)楦咚匍_斷和關(guān)斷會(huì)產(chǎn)生很高的尖峰電壓,及有可能造成IGBT自身或其他元件擊穿。
IGBT驅(qū)動(dòng)電路要求三：
IGBT開通后,驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)提供足夠的電壓、電流幅值,使IGBT在正常工作及過(guò)載情況下不致退出飽和而損壞。

西門康IGBT模塊

IGBT驅(qū)動(dòng)電路要求四：
IGBT驅(qū)動(dòng)電路中的電阻RG對(duì)工作性能有較大的影響,RG較大,有利于抑制IGBT的電流上升率及電壓上升率,但會(huì)增加IGBT 的開關(guān)時(shí)間和開關(guān)損耗;RG較小,會(huì)引起電流上升率增大, 使IGBT誤導(dǎo)通或損壞。RG的具體數(shù)據(jù)與驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)及IGBT的容量有關(guān), 一般在幾歐～幾十歐,小容量的IGBT其RG值較大。
IGBT驅(qū)動(dòng)電路要求五：
驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)具有較強(qiáng)的抗干擾能力及對(duì)IGBT的保護(hù)功能。IGBT的控制、驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路等應(yīng)與其高速開關(guān)特性相匹配, 另外, 在未采取適當(dāng)?shù)姆漓o電措施情況下,G—E斷不能開路。我們?cè)趯?shí)際應(yīng)用時(shí)應(yīng)該根據(jù)器件容量或功能要求來(lái)選擇不同的IGBT驅(qū)動(dòng)電路。下一節(jié)，將為大家講解三種實(shí)用的IGBT驅(qū)動(dòng)電路。希望大家繼續(xù)關(guān)注！

上一篇：IGBT是什么?

下一篇：igbt型號(hào)說(shuō)明